2N5550TAR

更新时间： 2024-11-28 11:01:35

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安森美 - ONSEMI		放大器小信号双极晶体管
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6页	75K
描述
小信号 NPN 双极晶体管

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2N5550TAR 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	0.7	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	140 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	20	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2N5550TAR 数据手册

2N5550, 2N5551

Preferred Device

Amplifier Transistors

NPN Silicon

Features

• Pb−Free Packages are Available*

http://onsemi.com

• Device Marking: Device Type, e.g., 2N5550, Date Code

COLLECTOR

BASE

MAXIMUM RATINGS

Rating

Symbol 2N5550 2N5551

Unit

Vdc

EMITTER

Collector − Emitter Voltage

Collector − Base Voltage

Emitter − Base Voltage

Collector Current − Continuous

Total Device Dissipation

CEO

CBO

140

160

180

Vdc

EBO

6.0

Vdc

MARKING

DIAGRAM

600

mAdc

@ T = 25°C

Derate above 25°C

625

5.0

mW/°C

55xx

YWW

TO−92

CASE 29

STYLE 1

Total Device Dissipation

@ T = 25°C

Derate above 25°C

1.5

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

−55 to +150

°C

stg

55xx

Specific Device Code

= Year

= Work Week

Maximumratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits

are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur

and reliability may be affected.

ORDERING INFORMATION

THERMAL CHARACTERISTICS

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 3 of this data sheet.

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance,

Junction−to−Ambient

200

°C/W

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

Thermal Resistance,

Junction−to−Case

83.3

°C/W

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

downloadthe ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference

Manual, SOLDERRM/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004

Publication Order Number:

June, 2004 − Rev. 3

2N5550/D

12 3 4 5 6

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2N5550TAR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N5550TA	ONSEMI	完全替代	Small Signal NPN Bipolar Transistor, 2000-FNFLD
2N5550RLRP	ONSEMI	类似代替	Amplifier Transistors

与2N5550TAR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2N5550TFR	ONSEMI	获取价格	小信号 NPN 双极晶体管
2N5550TRD	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N5550TRE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N5550TRF	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N5550TRH	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 140V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92,
2N5551	CENTRAL	获取价格	Small Signal Transistors TO-92 Case (Continued)
2N5551	TYSEMI	获取价格	Switching and amplification in high voltage High voltage(max.180V)
2N5551	KODENSHI	获取价格	NPN Silicon Transistor
2N5551	BWTECH	获取价格	HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR
2N5551	SECOS	获取价格	NPN Silicon General Purpose Transistor

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