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2N5551

更新时间： 2024-01-21 01:46:34

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SECOS		晶体晶体管
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2页	204K
描述
NPN Silicon General Purpose Transistor

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2N5551 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	7.99	最大集电极电流 (IC)：	0.6 A
集电极-发射极最大电压：	160 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

2N5551 数据手册

2N5551

NPN Silicon

Elektronische Bauelemente

General Purpose Transistor

RoHS Compliant Product

A suffix of "-C" specifies halogen & lead-free

TO-92

4.55±0.2

3.5 0.2

FEATURES

* Switching and amplification in high voltage

* Low current(max. 600mA)

* High voltage(max.180v)

+0.08

–0.07

0.43

46^+0.1

–0.1

(1.27 Typ.)

1: Emitter

2: Base

3: Collector

1.25⁺–0⁰.^.2²

2 3

2.54 0.1

MAXIMUM RATINGS* T_A=25℃ unless otherwise noted

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Para

Collector-Base Voltage

meter

Value

180

Units

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

160

Collector Current -Continuous

Collector Dissipation

0.6

P_C

0.625

-55-150

℃

T_J, T_stg

Junction and Storage Temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃ unless otherwise specified）

Parameter

Test

conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Symbol

Collector-base breakdown voltage

V_(BR)CBO

180

160

Ic= 100 μA,I_E=0

Collector-emitter

voltage

breakdown

V_(BR)CEO

Ic= 1mA, I_B=0

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

V_(BR)EBO

I_CBO

I_E= 10μA, I_C=0

V_CB= 120V I_E=0

I_EBO

V_EB= 4V, I_C=0

h_FE

V_CE= 5 V, I_C= 1 mA

V_CE= 5 V, I_C= 10 mA

V_CE= 5 V, I_C= 50 mA

I_C= 10 mA, I_B= 1 mA

I_C= 50 mA, I_B= 5 mA

I_C= 10 mA, I_B= 1 mA

I_C= 50 mA, I_B= 5 mA

（

）

DC current gain

250

0.15

0.2

Collector-emitter saturation voltage V_CEsat

Base-emitter saturation voltage

V_BEsat*

Transition frequency

Collector output capacitance

Input capacitance

_CE=10V,I_C=10 mA,,f=100MHz

100

300

MHz

f_T

C_ob

C_ib

V_CB=10V,I_E=0,f=1MHz

V_BE=0.5V,I_C=0,f=1MHz

V_CE=5V,I_c=0.25mA,

f=1KHZ,Rg=1kΩ

Noise figure

*Pulse test

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changing of specification will not be informed individual

01-Jun-2002 Rev. A

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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