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2N5551/D26Z-J35Z

更新时间: 2024-11-20 14:39:19
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 116K
描述
200mA, 160V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

2N5551/D26Z-J35Z 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.95风险等级:5.57
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):0.2 A
基于收集器的最大容量:6 pF集电极-发射极最大电压:160 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):30
JESD-30 代码:O-PBCY-T3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.2 V
Base Number Matches:1

2N5551/D26Z-J35Z 数据手册

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