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2N5551

更新时间： 2024-02-02 18:50:20
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2页 59K
描述
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR

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2N5551 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：7.99最大集电极电流 (IC)：0.6 A
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

2N5551 数据手册

 浏览型号2N5551的Datasheet PDF文件第2页 
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
2N5551  
TO- 92  
CBE  
Boca Semiconductor Corp.  
BSC  
High Voltage NPN Transistor For General Purpose And Telephony Applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25deg C unless otherwise specified)  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
VALUE  
160  
180  
6.0  
600  
625  
5.0  
1.5  
12  
UNIT  
V
V
V
mA  
Collector -Emitter Voltage  
Collector -Base Voltage  
Emitter -Base Voltage  
Collector Current Continuous  
Power Dissipation @Ta=25 degC  
Derate Above 25 deg C  
Power Dissipation @Tc=25 degC  
Derate Above 25 deg C  
Operating And Storage Junction  
Temperature Range  
PD  
mW  
mw/deg C  
W
mw/deg C  
deg C  
PD  
Tj, Tstg  
-55 to +150  
THERMAL RESISTANCE  
Junction to Case  
Junction to Ambient  
Rth(j-c)  
Rth(j-a) (1)  
125  
357  
deg C/W  
deg C/W  
(1) Rth (j-a) is measured with the device soldered into a typical printed circuit board  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 deg C Unless Otherwise Specified)  
DESCRIPTION  
SYMBOL TEST CONDITION  
MIN  
160  
180  
6.0  
-
TYP  
MAX  
-
-
-
50  
UNIT  
V
V
V
nA  
Collector -Emitter Voltage  
Collector -Base Voltage  
Emitter -Base Voltage  
Collector-Cut off Current  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
ICBO  
IC=1mA,IB=0  
-
-
-
-
IC=100uA.IE=0  
IE=10uA, IC=-0  
VCB=160V, IE=0  
Ta=100 deg C  
VCB=160V, IE=0  
VEB=4V, IC=0  
IC=1mA,VCE=5V  
IC=10mA,VCE=5V  
IC=50mA,VCE=5V  
-
-
80  
80  
30  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
50  
50  
-
250  
-
0.15  
0.2  
1.0  
1.0  
uA  
nA  
Emitter-Cut off Current  
DC Current Gain  
IEBO  
hFE*  
Collector Emitter Saturation Voltage VCE(Sat)* IC=10mA,IB=1mA  
V
V
V
V
IC=50mA,IB=5mA  
VBE(Sat) * IC=10mA,IB=1mA  
IC=50mA,IB=5mA  
Base Emitter Saturation Voltage  
http://www.bocasemi.com  
page: 1  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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