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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2664 | NJSEMI |
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20 STERN AVE SPRINGFIELD,NEW JERSEY 07081 U.S.A |
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| 2N2665 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | CAN |
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| 2N2666 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 70V V(BR)CEO | 3A I(C) | CAN |
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| 2N2667 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 90V V(BR)CEO | 3A I(C) | CAN |
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| 2N2668 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-210VAR10 |
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| 2N2669 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 70V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-210VAR10 |
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| 2N267 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 10MA I(C) |
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| 2N2670 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 90V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-210VAR10 |
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| 2N2679 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element |
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| 2N2679A | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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