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2N2685A

更新时间： 2024-02-06 04:42:48

品牌	Logo	应用领域
SSDI		栅栅极
页数	文件大小	规格书
1页	49K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Element, TO-18, TO-18, 3 PIN

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2N2685A 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.72	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	200 V/us	最大直流栅极触发电流：	0.02 mA
最大直流栅极触发电压：	0.8 V	最大维持电流：	0.5 mA
JEDEC-95代码：	TO-18	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
最大漏电流：	0.0001 mA	通态非重复峰值电流：	2 A
元件数量：	1	端子数量：	3
最大通态电流：	350 A	最高工作温度：	125 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	0.28 A	断态重复峰值电压：	100 V
重复峰值反向电压：	100 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

2N2685A 数据手册

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与2N2685A相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N2686	SSDI	Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Eleme	获取价格
2N2686A	SSDI	Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Eleme	获取价格
2N2687	SSDI	Silicon Controlled Rectifier, 0.28A I(T)RMS, 180mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element	获取价格
2N2688	SSDI	Silicon Controlled Rectifier, 0.28A I(T)RMS, 180mA I(T), 60V V(DRM), 60V V(RRM), 1 Element	获取价格
2N2689	SSDI	Silicon Controlled Rectifier, 0.28A I(T)RMS, 180mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Eleme	获取价格
2N268A	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 60V V(BR)CEO \| TO-3	获取价格

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