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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2689 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.28A I(T)RMS, 180mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Eleme |
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| 2N268A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | TO-3 |
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| 2N269 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 24V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-1 |
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| 2N2690 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.28A I(T)RMS, 180mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Eleme |
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| 2N2695 | TI |
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2N2695 |
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| 2N2696 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO18 Metal |
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| 2N2696CSM | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1 |
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| 2N2697 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | STR-6 |
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| 2N2698 | HONEYWELL |
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SILICON TRANSISTOR |
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| 2N26S8 | NJSEMI |
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20 STERN AVE. |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
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