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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.75 |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.02 mA | 最大直流栅极触发电压： | 0.7 V |
| 最大维持电流： | 0.5 mA | JEDEC-95代码： | TO-18 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 最大漏电流： | 0.0001 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 2 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 350 A |
| 最高工作温度： | 155 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 最大均方根通态电流： | 0.35 A | 断态重复峰值电压： | 200 V |
| 重复峰值反向电压： | 200 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2687 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.28A I(T)RMS, 180mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element |
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| 2N2688 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.28A I(T)RMS, 180mA I(T), 60V V(DRM), 60V V(RRM), 1 Element |
|
| 2N2689 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.28A I(T)RMS, 180mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Eleme |
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| 2N268A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | TO-3 |
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| 2N269 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 24V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-1 |
|
| 2N2690 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.28A I(T)RMS, 180mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Eleme |
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| 2N2695 | TI |
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2N2695 |
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| 2N2696 | SEME-LAB |
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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO18 Metal |
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| 2N2696CSM | SEME-LAB |
获取价格 |
Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed LCC1 |
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| 2N2697 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 5A I(C) | STR-6 |
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