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2N2665

更新时间: 2024-01-14 16:58:34
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1页 83K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | CAN

2N2665 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.85
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:30 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25JEDEC-95代码:TO-5
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:100 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):15 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:GERMANIUM

2N2665 数据手册

  
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