5秒后页面跳转
2N2666 PDF预览

2N2666

更新时间: 2024-02-16 21:03:09
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 377K
描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 70V V(BR)CEO | 3A I(C) | CAN

2N2666 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.88
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):3 A
集电极-发射极最大电压:40 V配置:SINGLE
最小直流电流增益 (hFE):25JEDEC-95代码:TO-5
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:100 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):15 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:GERMANIUM
Base Number Matches:1

2N2666 数据手册

 浏览型号2N2666的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N2666的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N2666的Datasheet PDF文件第4页 
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003  

与2N2666相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
2N2667 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 90V V(BR)CEO | 3A I(C) | CAN

获取价格

2N2668 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-210VAR10

获取价格

2N2669 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 70V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-210VAR10

获取价格

2N267 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 10MA I(C)

获取价格

2N2670 ETC TRANSISTOR | BJT | PNP | 90V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-210VAR10

获取价格

2N2679 SSDI Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element

获取价格