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2N2667

更新时间： 2024-02-29 16:36:45

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		晶体晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
1页	83K
描述
TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 90V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| CAN

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2N2667 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	3 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	50
最高工作温度：	100 °C	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	15 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

2N2667 数据手册

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1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2N2668	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 50V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-210VAR10	获取价格
2N2669	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 70V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-210VAR10	获取价格
2N267	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 10MA I(C)	获取价格
2N2670	ETC	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 90V V(BR)CEO \| 3A I(C) \| TO-210VAR10	获取价格
2N2679	SSDI	Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element	获取价格
2N2679A	SSDI	Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element	获取价格

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