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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.72 |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 200 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.02 mA | 最大直流栅极触发电压： | 0.7 V |
| 最大维持电流： | 0.5 mA | JEDEC-95代码： | TO-18 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | 最大漏电流： | 0.1 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 2 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 350 A |
| 最高工作温度： | 155 °C | 最低工作温度： | -60 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 最大均方根通态电流： | 0.35 A |
| 断态重复峰值电压： | 30 V | 重复峰值反向电压： | 30 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2N2679A | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element |
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| 2N268 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PNP | 3A I(C) | TO-3 |
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| 2N2680A | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 60V V(DRM), 60V V(RRM), 1 Element |
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| 2N2681A | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Eleme |
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| 2N2682 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Eleme |
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| 2N2683 | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.28A I(T)RMS, 280mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element |
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| 2N2683A | SSDI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 30V V(DRM), 30V V(RRM), 1 Element |
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| 2N2684 | SSDI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.28A I(T)RMS, 280mA I(T), 60V V(DRM), 60V V(RRM), 1 Element |
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| 2N2684A | SSDI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.35A I(T)RMS, 350mA I(T), 60V V(DRM), 60V V(RRM), 1 Element |
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| 2N2685 | SSDI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.28A I(T)RMS, 280mA I(T), 100V V(DRM), 100V V(RRM), 1 Eleme |
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