Datasheet > 晶体管 > IGBT> 2MBI150SC-120

2MBI150SC-120

更新时间： 2024-11-05 22:44:59

品牌	Logo	应用领域
富士电机 - FUJI		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
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4页	285K
描述
IGBT MODULE ( S-Series )

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2MBI150SC-120 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
针数：	7	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.81	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	150 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	2	端子数量：	7
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	530 ns	标称接通时间 (ton)：	600 ns
Base Number Matches：	1

2MBI150SC-120 数据手册

2-Pack IGBT

1200V

2MBI 150SC-120

2x150A

IGBT MODULE ( S-Series )

I Outline Drawing

I Features

• NPT-Technology

• Square SC SOA at 10 x I_C

• High Short Circuit Withstand-Capability

• Small Temperature Dependence of the Turn-Off

Switching Loss

• Low Losses And Soft Switching

I Applications

• High Power Switching

• A.C. Motor Controls

• D.C. Motor Controls

• Uninterruptible Power Supply

I Maximum Ratings and Characteristics

I Equivalent Circuit

• Absolute Maximum Ratings ( T_c=25°C)

Items

Collector-Emitter Voltage

Gate -Emitter Voltage

Symbols

V_CES

V_GES

I_C

Ratings

1200

Units

Continuous 25°C / 80°C

200 / 150

400 / 300

150

Collector

Current

1ms

25°C / 80°C

I_{C PULSE}

-I_C

-I_{C PULSE}

Continuous

1ms

300

Max. Power Dissipation

Operating Temperature

Storage Temperature

Isolation Voltage

P_C

1000

T_j

T_stg

+150

°C

-40 ∼ +125

A.C. 1min.

V_is

2500

Mounting *²

3.5

Screw Torque

Terminals *²

Note: 1*: All Terminals should be connected together when isolation test will be done.

2*: Recommendable Value; 2.5 ∼ 3.5 Nm (M5)

• Electrical Characteristics ( at T_j=25°C )

Items

Symbols

I_CES

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

2.0

400

8.5

2.6

Units

Zero Gate Voltage Collector Current

Gate-Emitter Leackage Current

Gate-Emitter Threshold Voltage

V_GE=0V V_CE=1200V

I_GES

V_CE=0V V_GE= 20V

V_GE=20V I_C=150mA

5.5

7.2

2.3

2.8

V_GE(th)

T_j= 25°C

T_j=125°C

Collector-Emitter Saturation Voltage

V_GE=15V I_C=150A

V_CE(sat)

Input Capacitance

V_GE=0V

V_CE=10V

f=1MHz

18’000

3’750

3’300

0.35

0.25

0.10

0.45

0.08

C_ies

C_oes

C_res

t_ON

t_r,x

Output Capacitance

Reverse Transfer Capacitance

V_CC= 600V

I_C= 150A

15V

5.6Ω

Inductive Load

1.2

0.6

Turn-on Time

Turn-off Time

t_r,i

V_GE

R_G

µs

1.0

0.3

t_OFF

t_f

T_j= 25°C

T_j=125°C

2.3

2.0

3.0

Diode Forward On-Voltage

Reverse Recovery Time

I_F=150A; V_GE=0V

I_F=150A

V_F

t_rr

350

• Thermal Characteristics

Items

Symbols

R_th(j-c)

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

0.125

0.260

Units

IGBT

Thermal Resistance

Diode

°C/W

R_th(j-c)

With Thermal Compound

0.025

R_th(c-f)

12 3 4

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