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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 200 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| 元件数量： | 1 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1300 W | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| VCEsat-Max： | 2.2 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2MBI200L-060 | FUJI |
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IGBT MODULE(L series) |
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| 2MBI200L-120 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE ( L series) |
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| 2MBI200LB060 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
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| 2MBI200LB-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE |
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| 2MBI200N-060 | FUJI |
获取价格 |
IGBT MODULE ( N series ) |
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| 2MBI200N-060-03 | FUJI |
获取价格 |
600V / 200A 2 in one-package |
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| 2MBI200N-060-03A | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| 2MBI200N-060-03B | FUJI |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 2MBI200N-060-03C | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| 2MBI200N-060-03D | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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