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2MBI200HJ-120-50

更新时间： 2024-09-14 15:19:39

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2MBI200HJ-120-50 技术参数

2MBI200HJ-120-50

IGBT Modules

Power Module (V series)

1200V / 200A / 2-in-1 package

■ Features

High speed switching

Voltage drive

Low Inductance module structure

■ Applications

Soft-switching Application

Industrial machines,such as Welding machines

Outline drawing ( Unit : mm )

■

Weight: 370g (typ.)

■

Equivalent Circuit

C2E1

FM5F8377ｂ

2018/04

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2MBI200J060	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 200A I(C)
2MBI200J120	FUJI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES,
2MBI200L-060	FUJI	获取价格	IGBT MODULE(L series)
2MBI200L-120	FUJI	获取价格	IGBT MODULE ( L series)
2MBI200LB060	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| HALF BRIDGE \| 600V V(BR)CES \| 200A I(C)
2MBI200LB-060	FUJI	获取价格	IGBT MODULE
2MBI200N-060	FUJI	获取价格	IGBT MODULE ( N series )
2MBI200N-060-03	FUJI	获取价格	600V / 200A 2 in one-package
2MBI200N-060-03A	FUJI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
2MBI200N-060-03B	FUJI	获取价格	暂无描述