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2MBI200-120-01

更新时间： 2024-09-12 22:27:43
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI /
页数 文件大小 规格书
4页 197K
描述
1200V / 200A 2 in one-package

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2MBI200-120-01 数据手册

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IGBT Module  
2MBI200NB-120-01  
1200V / 200A 2 in one-package  
Features  
· VCE(sat) classified for easy parallel connection  
· High speed switching  
· Voltage drive  
· Low inductance module structure  
Applications  
· Inverter for Motor drive  
· AC and DC Servo drive amplifier  
· Uninterruptible power supply  
· Industrial machines, such as Welding machines  
Equivalent Circuit Schematic  
C2E1  
Maximum ratings and characteristics  
Absolute maximum ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)  
E2  
C1  
Rating  
1200  
Unit  
V
Item  
Symbol  
VCES  
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltage  
Collector Continuous  
¤
¤
±20  
V
VGES  
200  
A
IC  
400  
A
current  
1ms  
IC pulse  
-IC  
200  
A
G1  
E1  
G2  
E2  
¤ Current control circuit  
400  
A
1ms  
-IC pulse  
PC  
1500  
W
°C  
°C  
V
Max. power dissipation  
Operating temperature  
Storage temperature  
Isolation voltage  
VCE(sat) classification  
Rank Lenge  
+150  
Tj  
Conditions  
-40 to +125  
AC 2500 (1min.)  
3.5  
Tstg  
F
2.25 to 2.50V  
2.40 to 2.65V  
2.55 to 2.80V  
2.70 to 2.95V  
2.85 to 3.10V  
3.00 to 3.30V  
Vis  
A
B
C
D
E
Ic = 200A  
VGE = 15V  
Tj = 25°C  
N·m  
N·m  
Screw torque  
Mounting *1  
Terminals *2  
4.5  
*1 : Recommendable value : 2.5 to 3.5 N·m (M5) or (M6)  
*2 : Recommendable value : 3.5 to 4.5 N·m (M6)  
Electrical characteristics (at Tj=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
Characteristics  
Conditions  
Unit  
Min.  
Typ.  
Max.  
Zero gate voltage collector current  
Gate-Emitter leakage current  
Gate-Emitter threshold voltage  
Collector-Emitter saturation voltage  
Input capacitance  
ICES  
IGES  
VGE(th)  
VCE(sat)  
Cies  
Coes  
Cres  
ton  
–
–
–
–
2.0  
30  
7.5  
3.3  
–
VGE=0V, VCE=1200V  
VCE=0V, VGE=±20V  
VCE=20V, IC=200mA  
VGE=15V, IC=200A  
VGE=0V  
mA  
µA  
V
4.5  
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
32000  
11600  
10320  
pF  
Output capacitance  
–
VCE=10V  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time  
–
f=1MHz  
0.65  
1.2  
0.6  
1.5  
0.5  
3.0  
VCC=600V  
µs  
tr  
0.25  
0.85  
0.35  
IC=200A  
Turn-off time  
toff  
VGE=±15V  
tf  
RG=4.7ohm  
Diode forward on voltage  
Reverse recovery time  
VF  
–
–
IF=200A, VGE=0V  
IF=200A  
V
trr  
0.35  
µs  
Thermal resistance characteristics  
Item  
Symbol  
Characteristics  
Conditions  
Unit  
Min.  
Typ.  
Max.  
0.085  
Rth(j-c)  
Rth(j-c)  
Rth(c-f)*  
IGBT  
–
–
–
–
°C/W  
°C/W  
°C/W  
Thermal resistance  
Diode  
–
0.18  
–
the base to cooling fin  
0.025  
* : This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound  
1234

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