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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
| 针数： | 7 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 最大集电极电流 (IC)： | 200 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf）： | 350 ns | JESD-30 代码： | R-XUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 1600 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 800 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 3.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2MBI200L-120 | FUJI |
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IGBT MODULE ( L series) |
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| 2MBI200LB060 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C) |
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| 2MBI200LB-060 | FUJI |
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IGBT MODULE |
|
| 2MBI200N-060 | FUJI |
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IGBT MODULE ( N series ) |
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| 2MBI200N-060-03 | FUJI |
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600V / 200A 2 in one-package |
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| 2MBI200N-060-03A | FUJI |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| 2MBI200N-060-03B | FUJI |
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暂无描述 |
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| 2MBI200N-060-03C | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
|
| 2MBI200N-060-03D | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| 2MBI200N-060-03F | FUJI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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