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2MBI150U4H-170

更新时间： 2024-09-16 02:57:15

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2MBI150U4H-170 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	针数：	7
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.82
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	200 A
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X7	元件数量：	2
端子数量：	7	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	550 ns
标称接通时间 (ton)：	620 ns	Base Number Matches：	1

SPECIFICATION

IGBT MODULE

Device Name :

2MBI150U4H-170

MS5F 6144

Type Name

Spec. No. :

S.Miyashita

Jun. 01 ’05

Y.Seki

T.Miyasaka

K.Yamada

MS5F6144

H04-004-07b

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2MBI150U4H-170-50	FUJI	获取价格	2-Pack(2 in 1) M249
2MBI150UA-060	FUJI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
2MBI150UA-120	ETC	获取价格	DUAL IGBT
2MBI150UB-120	ETC	获取价格	IGBTs
2MBI150VA-060-50	FUJI	获取价格	IGBT MODULE (V series) 600V / 150A / 2 in one package
2MBI150VA-120-50	FUJI	获取价格	IGBT MODULE (V series) 1200V / 150A / 2 in one package
2MBI150VB-120-50	FUJI	获取价格	IGBT MODULE (V series) 1200V / 150A / 2 in one package
2MBI150VH-170-50	FUJI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
2MBI150XAA065-50	FUJI	获取价格	2-Pack(2 in 1)
2MBI150XAA120-50	FUJI	获取价格	2-Pack(2 in 1)