5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2MBI200HH-120-50
2MBI200HH-120-50 PDF预览

2MBI200HH-120-50

更新时间： 2024-09-13 12:50:39
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 552K
描述
HIGH SPEED IGBT MODULE 1200V / 200A / 2 in one package

阅读下载

中文翻译

获取价格

2MBI200HH-120-50 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.71外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：300 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-XUFM-X7元件数量：2
端子数量：7最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1790 W子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：300 ns
VCEsat-Max：3.65 VBase Number Matches：1

2MBI200HH-120-50 数据手册

 浏览型号2MBI200HH-120-50的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2MBI200HH-120-50的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2MBI200HH-120-50的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2MBI200HH-120-50的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2MBI200HH-120-50的Datasheet PDF文件第6页 
http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/  
IGBT Modules  
2MBI200HH-120-50  
HIGH SPEED IGBT MODULE  
1200V / 200A / 2 in one package  
Features  
High speed switching  
Voltage drive  
Low Inductance module structure  
Applications  
Soft-switching Application  
Industrial machines, such as Welding machines  
Maximum Ratings and Characteristics  
Absolute Maximum Ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)  
Items  
Symbols  
Conditions  
Maximum ratings  
Units  
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltage  
V
CES  
1200  
±20  
V
V
VGES  
Tc=25°C  
Tc=80°C  
Tc=25°C  
Tc=80°C  
300  
200  
600  
400  
Ic  
Continuous  
1ms  
Collector current  
Ic pulse  
A
-Ic  
75  
-Ic pulse  
Pc  
Tj  
1ms  
1 device  
150  
Collector Power Dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
1790  
+150  
-40 ~ +125  
2500  
3.5  
W
°C  
Tstg  
Isolation voltage Between terminal and copper base (*1)  
Viso  
AC : 1min.  
VAC  
N m  
Mounting (*2)  
Terminals (*3)  
Screw torque  
-
4.5  
Note *1:All terminals should be connected together when isolation test will be done.  
Note *2: Recommendable Value : Mounting 2.5 to 3.5 Nm (M5 or M6)  
Note *3: Recommendable Value : Terminals 3.5 to 4.5 Nm (M6)  
Electrical characteristics (at Tj= 25°C unless otherwise specified)  
Characteristics  
Items  
Symbols  
Conditions  
Units  
min.  
typ.  
-
-
6.2  
3.35  
4.25  
3.10  
4.00  
18  
max.  
Zero gate voltage collector current  
Gate-Emitter leakage current  
Gate-Emitter threshold voltage  
I
I
CES  
GES  
V
V
V
GE = 0V, VCE = 1200V  
CE = 0V, VGE = ±20V  
-
-
2.0  
400  
6.7  
3.65  
-
mA  
nA  
V
V
GE (th)  
CE = 20V, I  
C
= 200mA  
5.7  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
-
-
-
-
-
VCE (sat)  
(terminal)  
V
I
GE = 15V  
= 200A  
Collector-Emitter saturation voltage  
V
C
3.40  
-
VCE (sat)  
(chip)  
Cies  
Input capacitance  
Turn-off time  
V
V
V
CE = 10V, VGE = 0V, f = 1MHz  
CC = 600V, I = 200A  
GE = ±15V, R = 1.6Ω  
-
nF  
µs  
C
toff  
tf  
-
0.30  
0.05  
0.60  
0.20  
G
Ls = 20nH  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
-
-
-
-
-
1.85  
2.00  
1.70  
1.85  
1.20  
2.30  
-
2.15  
-
-
V
F
(terminal)  
V
I
GE = 0V  
= 75A  
Forward on voltage  
V
F
VF  
(chip)  
R lead  
Lead resistance, terminal-chip (*4)  
mΩ  
Note *4:Biggest internal terminal resistance among arm.  
Thermal resistance characteristics  
Items  
Characteristics  
Symbols  
Conditions  
Units  
min.  
typ.  
max.  
IGBT  
FWD  
-
-
-
-
-
0.07  
0.46  
-
Thermal resistance (1device)  
Rth(j-c)  
Rth(c-f)  
°C/W  
Contact Thermal resistance (1 device) (*5)  
with Thermal Compound  
0.025  
Note *5: This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound.  
1
123456

中文翻译

下载PDF

与2MBI200HH-120-50相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2MBI200HJ-120-50 FUJI

获取价格

 		2-Pack(2 in 1) M276
2MBI200J060 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C)
2MBI200J120 FUJI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 1200V V(BR)CES,
2MBI200L-060 FUJI

获取价格

 		IGBT MODULE(L series)
2MBI200L-120 FUJI

获取价格

 		IGBT MODULE ( L series)
2MBI200LB060 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C)
2MBI200LB-060 FUJI

获取价格

 		IGBT MODULE
2MBI200N-060 FUJI

获取价格

 		IGBT MODULE ( N series )
2MBI200N-060-03 FUJI

获取价格

 		600V / 200A 2 in one-package
2MBI200N-060-03A FUJI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 200A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

与2MBI200HH-120-50相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证