5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 2MBI150VB-120-50
2MBI150VB-120-50 PDF预览

2MBI150VB-120-50

更新时间： 2024-09-13 12:50:39
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 419K
描述
IGBT MODULE (V series) 1200V / 150A / 2 in one package

阅读下载

中文翻译

获取价格

2MBI150VB-120-50 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.71外壳连接：ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：150 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-XUFM-X7
元件数量：2端子数量：7
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：800 ns
标称接通时间 (ton)：600 nsBase Number Matches：1

2MBI150VB-120-50 数据手册

 浏览型号2MBI150VB-120-50的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2MBI150VB-120-50的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2MBI150VB-120-50的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2MBI150VB-120-50的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2MBI150VB-120-50的Datasheet PDF文件第6页 
http://www.fujielectric.com/products/semiconductor/  
IGBT Modules  
2MBI150VB-120-50  
IGBT MODULE (V series)  
1200V / 150A / 2 in one package  
Features  
High speed switching  
Voltage drive  
Low Inductance module structure  
Applications  
Inverter for Motor Drive  
AC and DC Servo Drive Amplifier  
Uninterruptible Power Supply  
Industrial machines, such as Welding machines  
Maximum Ratings and Characteristics  
Absolute Maximum Ratings (at T =25°C unless otherwise specified)  
C
Items  
Symbols  
Conditions  
Maximum ratings  
Units  
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltage  
V
CES  
1200  
±20  
V
V
VGES  
I
I
C
Continuous  
1ms  
T
C
=100°C  
150  
300  
C pulse  
Collector current  
-I  
C
150  
-IC pulse  
1ms  
300  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Operating junction temperature (under switching conditions)  
Case temperature  
Storage temperature  
P
C
1 device  
1070  
175  
150  
W
T
T
T
T
j
jop  
C
°C  
125  
stg  
-40 ~ 125  
2500  
3.5  
Isolation voltage between terminal and copper base (*1)  
V
-
-
iso  
AC : 1min.  
VAC  
N m  
Mounting (*2)  
Terminals (*3)  
Screw torque  
3.5  
Note *1:All terminals should be connected together during the test.  
Note *2: Recommendable Value : 2.5-3.5 Nm (M5 or M6)  
Note *3: Recommendable Value : 2.5-3.5 Nm (M5)  
Electrical characteristics (at T= 25°C unless otherwise specified)  
j
Characteristics  
Items  
Symbols  
Conditions  
Units  
min.  
typ.  
-
-
max.  
Zero gate voltage collector current  
Gate-Emitter leakage current  
Gate-Emitter threshold voltage  
I
I
CES  
GES  
V
V
V
GE = 0V, VCE = 1200V  
CE = 0V, VGE = ±20V  
-
2.0  
400  
7.0  
2.45  
-
mA  
nA  
V
-
6.0  
-
V
GE (th)  
CE = 20V, I  
C
= 150mA  
6.5  
T
T
T
T
T
T
j
j
j
j
j
j
=25°C  
2.00  
2.35  
2.40  
1.85  
2.20  
2.25  
5.0  
VCE (sat)  
V
I
GE = 15V  
= 150A  
=125°C  
=150°C  
=25°C  
=125°C  
=150°C  
-
(terminal)  
C
Collector-Emitter saturation voltage  
V
-
-
2.30  
-
V
CE (sat)  
V
I
GE = 15V  
= 150A  
(chip)  
C
Internal gate resistance  
Input capacitance  
R
C
G (int)  
ies  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Ω
nF  
VCE = 10V, VGE = 0V, f = 1MHz  
12.0  
600  
200  
50  
t
t
t
t
t
on  
V
CC = 600V  
= 150A  
LS = 30nH  
Turn-on time  
Turn-off time  
r
I
C
r (i)  
off  
f
nsec  
V
GE = ±15V  
R = 4.2Ω  
G
800  
80  
Tj  
= 150°C  
-
2.30  
-
T
T
j
j
=25°C  
1.85  
2.00  
1.95  
1.70  
1.85  
1.80  
150  
VF  
V
I
GE = 0V  
= 150A  
=125°C  
=150°C  
=25°C  
=125°C  
=150°C  
(terminal)  
F
T
j
Forward on voltage  
V
T
T
j
j
-
-
2.15  
-
V
F
V
I
GE = 0V  
= 150A  
(chip)  
F
T
j
Reverse recovery time  
Thermal resistance characteristics  
Items  
t
rr  
I
F
= 150A  
-
-
nsec  
Characteristics  
Symbols  
Conditions  
Units  
min.  
typ.  
max.  
IGBT  
FWD  
-
-
-
-
-
0.140  
0.200  
-
Thermal resistance (1device)  
R
R
th(j-c)  
th(c-f)  
°C/W  
Contact thermal resistance (1device) (*4)  
with Thermal Compound  
0.025  
Note *4: This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound.  
1
123456

中文翻译

下载PDF

与2MBI150VB-120-50相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2MBI150VH-170-50 FUJI

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor
2MBI150XAA065-50 FUJI

获取价格

 		2-Pack(2 in 1)
2MBI150XAA120-50 FUJI

获取价格

 		2-Pack(2 in 1)
2MBI150XAA170-50 FUJI

获取价格

 		2-Pack(2 in 1) M263
2MBI150XHA170-50 FUJI

获取价格

 		2-Pack(2 in 1) M276
2MBI1800XXF120P-50 FUJI

获取价格

 		2-Pack(2 in 1)
2MBI1800XXF170-50 FUJI

获取价格

 		2-Pack(2 in 1) M272
2MBI1800XXG170-50 FUJI

获取价格

 		2-Pack(2 in 1)
2MBI200-060 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 600V V(BR)CES | 200A I(C)
2MBI200-120-01 FUJI

获取价格

 		1200V / 200A 2 in one-package

与2MBI150VB-120-50相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证