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2MBI150U4H-120

更新时间： 2024-11-06 07:28:07
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 365K
描述
IGBT Modules

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2MBI150U4H-120 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7针数：7
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：200 A
集电极-发射极最大电压：1200 VJESD-30 代码：R-XUFM-X7
端子数量：7封装主体材料：UNSPECIFIED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：410 ns
标称接通时间 (ton)：320 nsBase Number Matches：1

2MBI150U4H-120 数据手册

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2MBI150U4H-120  
IGBT MODULE (U series)  
IGBT Modules  
1200V / 150A / 2 in one package  
Features  
High speed switching  
Voltage drive  
Low Inductance module structure  
Applications  
Inverter for Motor Drive  
AC and DC Servo Drive Amplifier  
Uninterruptible Power Supply  
Industrial machines, such as Welding machines  
Maximum Ratings and Characteristics  
Absolute Maximum Ratings (at Tc=25°C unless otherwise specified)  
Items  
Symbols  
Conditions  
Maximum ratings  
Units  
Collector-Emitter voltage  
Gate-Emitter voltage  
V
CES  
1200  
±20  
V
V
VGES  
Tc=25°C  
Tc=80°C  
Tc=25°C  
Tc=80°C  
200  
150  
400  
300  
Ic  
Continuous  
1ms  
Collector current  
Ic pulse  
A
-Ic  
150  
-Ic pulse  
Pc  
Tj  
1ms  
1 device  
300  
780  
+150  
-40 to +125  
2500  
3.5  
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
W
°C  
°C  
Tstg  
Isolation voltage Between terminal and copper base (*1) Viso  
Mounting (*2)  
Terminals (*2)  
AC : 1min.  
VAC  
Screw torque  
N·m  
4.5  
Note *1: All terminals should be connected together when isolation test will be done.  
Note *2: Recommendable value : Mounting : 2.5-3.5 N·m (M5 or M6), Terminals : 3.5-4.5 N·m (M6)  
Electrical characteristics (at Tj= 25°C unless otherwise specified)  
Characteristics  
Items  
Symbols  
Conditions  
Units  
min.  
typ.  
-
-
max.  
Zero gate voltage collector current  
Gate-Emitter leakage current  
Gate-Emitter threshold voltage  
I
I
CES  
GES  
V
V
V
GE = 0V, VCE = 1200V  
CE = 0V, VGE = ±20V  
-
-
2.0  
400  
8.5  
2.15  
-
mA  
nA  
V
VGE (th)  
CE = 20V, I  
C
= 150mA  
4.5  
-
6.5  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
2.00  
2.20  
1.90  
2.10  
17  
VCE (sat)  
(teminal)  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
VGE = 15V  
Collector-Emitter saturation voltage  
V
I
C
= 150A  
2.05  
-
VCE (sat)  
(chip)  
Cies  
ton  
tr  
tr (i)  
toff  
tf  
Input capacitance  
Turn-on time  
VGE = 0V, VCE = 10V, f = 1MHz  
-
nF  
0.32  
0.10  
0.03  
0.41  
0.07  
1.75  
1.85  
1.65  
1.75  
-
1.20  
0.60  
-
1.00  
0.30  
1.90  
-
1.80  
-
0.35  
-
V
CC = 600V  
= 150A  
I
C
µs  
V
VGE = ±15V  
RG = 4.7Ω  
Turn-off time  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
VF  
(teminal)  
VGE = 0V  
Forward on voltage  
I
F
= 150A  
VF  
(chip)  
Reverse recovery time  
Lead resistance, terminal-chip (*3)  
trr  
R lead  
I
F
= 150A  
µs  
mΩ  
0.53  
Note *3: Biggest internal terminal resistance among arm.  
Thermal resistance characteristics  
Characteristics  
Items  
Symbols Conditions  
Units  
min.  
typ.  
max.  
IGBT  
Rth(j-c)  
-
-
-
-
-
0.16  
0.24  
-
Thermal resistance (1device)  
FWD  
°C/W  
Contact thermal resistance (1device)  
Rth(c-f)  
with Thermal Compound (*4)  
0.025  
Note *4: This is the value which is defined mounting on the additional cooling fin with thermal compound.  
1
12345

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