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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-70 |
| 包装说明： | R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.67 |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 2 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最大输出电流： | 0.1 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 最大功率耗散： | 0.1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 250 V |
| 最大反向电流： | 1 µA | 最大反向恢复时间： | 0.06 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 1SS397 | TOSHIBA |
功能相似  |
DIODE (HIGH VOLTAGE, HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS) |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1SS370(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
RECTIFIER DIODE,250V V(RRM),SC-59 |
|
| 1SS370(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
RECTIFIER DIODE,250V V(RRM),SC-59 |
|
| 1SS370_07 | TOSHIBA |
获取价格 |
High Voltage, High Speed Switching Applications |
|
| 1SS370W | SEMTECH |
获取价格 |
Silicon Epitaxial Planar Diode |
|
| 1SS370W | SWST |
获取价格 |
小信号开关二极管 |
|
| 1SS371 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE, Microwave Mixer Diode |
|
| 1SS372 | KEXIN |
获取价格 |
HIGH SPEED SWITCHING DIODE |
|
| 1SS372 | HTSEMI |
获取价格 |
SCHOTTK Y B AR RIER DIODE |
|
| 1SS372 | TYSEMI |
获取价格 |
Low forward voltage:VF = 0.23 V(Typ) IF = 5mA Reverse voltage VR 10 V |
|
| 1SS372 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
Schottky Barrier Diode |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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