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1SS372

更新时间: 2024-11-13 22:37:47
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东芝 - TOSHIBA 整流二极管开关
页数 文件大小 规格书
2页 123K
描述
DIODE (HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION)

1SS372 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active零件包装代码:SC-70
包装说明:SC-70, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.49
Is Samacsys:N配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.5 VJESD-30 代码:R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流:1 A元件数量:2
端子数量:3最高工作温度:125 °C
最大输出电流:0.1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:0.1 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:15 V
最大反向电流:20 µA子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:YES技术:SCHOTTKY
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

1SS372 数据手册

 浏览型号1SS372的Datasheet PDF文件第2页 

与1SS372相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS372(T5LCK,F) TOSHIBA

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Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 15V V(RRM), Silicon
1SS372_07 TOSHIBA

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High Speed Switching Application
1SS373 TOSHIBA

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DIODE (HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION)
1SS373 TYSEMI

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Small Package Low forward voltage :VF = 0.23V(TYP.) IF = 5mA
1SS373 KEXIN

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HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION
1SS373 SEMTECH

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SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE
1SS373WT SEMTECH

获取价格

SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE
1SS374 KEXIN

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HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION
1SS374 TYSEMI

获取价格

Small package Low forward voltage :VR =0.23V(Typ). IF = 5mA
1SS374 TOSHIBA

获取价格

DIODE (HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION)