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1SS372(T5LCK,F)

更新时间： 2024-11-14 14:31:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 217K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.1A, 15V V(RRM), Silicon

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1SS372(T5LCK,F) 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.68
Is Samacsys：N配置：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：100 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.1 W
最大重复峰值反向电压：15 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

1SS372(T5LCK,F) 数据手册

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1SS372  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS372  
High Speed Switching Application  
Unit: mm  
z Small package  
z Low forward voltage: V = 0.23V (typ.) @I = 5mA  
F
F
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
15  
10  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
I
200 *  
100 *  
1 *  
mA  
mA  
A
FM  
I
O
I
FSM  
P
Power dissipation  
100  
mW  
°C  
°C  
°C  
Junction temperature  
T
j
125  
Storage temperature range  
Operating temperature range  
T
−55 to 125  
−40 to 100  
stg  
opr  
T
JEDEC  
―
JEITA  
SC-70  
1-2P1C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
TOSHIBA  
Weight: 0.006g (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are  
within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
* Unit rating. Total rating = unit rating × 0.7  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
I
I
I
―
―
―
―
―
0.18  
0.23  
0.35  
―
―
0.30  
0.50  
20  
F (1)  
F (2)  
F (3)  
F
F
F
Forward voltage  
―
= 5mA  
―
= 100mA  
Reverse current  
I
―
V
V
= 10V  
μA  
R
R
R
Total capacitance  
C
T
―
= 0, f = 1MHz  
20  
40  
pF  
Marking  
Start of commercial production  
1993-04  
1
2014-03-01  
123

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与1SS372(T5LCK,F)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS372_07 TOSHIBA

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 		High Speed Switching Application
1SS373 TOSHIBA

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 		DIODE (HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION)
1SS373 TYSEMI

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 		Small Package Low forward voltage :VF = 0.23V(TYP.) IF = 5mA
1SS373 KEXIN

获取价格

 		HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION
1SS373 SEMTECH

获取价格

 		SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE
1SS373WT SEMTECH

获取价格

 		SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE
1SS374 KEXIN

获取价格

 		HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION
1SS374 TYSEMI

获取价格

 		Small package Low forward voltage :VR =0.23V(Typ). IF = 5mA
1SS374 TOSHIBA

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 		DIODE (HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION)
1SS374 SWST

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 		肖特基二极管

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