5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 1SS319(TE85R,F)
1SS319(TE85R,F) PDF预览

1SS319(TE85R,F)

更新时间： 2024-11-18 14:49:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 328K
描述
Rectifier Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

1SS319(TE85R,F) 技术参数

生命周期：Active包装说明：SC-61, 4 PIN
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.69
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.6 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G4元件数量：2
相数：1端子数量：4
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.225 W
最大重复峰值反向电压：45 V最大反向电流：5 µA
反向测试电压：40 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

1SS319(TE85R,F) 数据手册

 浏览型号1SS319(TE85R,F)的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS319(TE85R,F)的Datasheet PDF文件第3页 
1SS319  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS319  
Low Voltage High Speed Switching  
Unit: mm  
Small package  
: SC-61  
: V (3) = 0.54V (typ.)  
Low forward voltage  
Low reverse current  
F
: I = 5μA (max)  
R
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
45  
40  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Power dissipation  
I
300 (*)  
100 (*)  
150 (*)  
125  
mA  
mA  
mW  
°C  
FM  
I
O
P
Junction temperature  
T
j
Storage temperature  
T
−55 to 125  
°C  
stg  
SMQ  
JEDEC  
JEITA  
―
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
SC−61  
TOSHIBA  
2−3J1A  
Weight: 0.013 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
(*): Unit rating. Total rating = unit rating × 1.5.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
I
I
I
0.28  
0.36  
0.54  
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
F
F
F
―
―
―
―
―
―
―
Forward voltage  
= 10mA  
= 100mA  
0.60  
5
Reverse current  
I
V
V
= 40V  
R
R
R
μA  
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1MHz  
18  
25  
pF  
Marking  
Start of commercial production  
1987-06  
1
2015-01-15  
123

中文翻译

下载PDF

与1SS319(TE85R,F)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS319_07 TOSHIBA

获取价格

 		Low Voltage High Speed Switching
1SS319TE85L TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 0.1 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS319TE85R TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 0.1 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS321 TYSEMI

获取价格

 		Low forward voltage: VF = 0.42 V(Typ) Low reverse current: IR =500 nA(Max)
1SS321 KEXIN

获取价格

 		LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING
1SS321 SEMTECH

获取价格

 		SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE
1SS321 TOSHIBA

获取价格

 		DIODE (LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)
1SS321 SWST

获取价格

 		肖特基二极管
1SS321(SAWAF,F) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.05A, 12V V(RRM), Silicon
1SS321_07 TOSHIBA

获取价格

 		TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type

与1SS319(TE85R,F)相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证