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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> 1SS321(SAWAF,F)
1SS321(SAWAF,F) PDF预览

1SS321(SAWAF,F)

更新时间： 2024-11-20 13:03:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 整流二极管光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 175K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.05A, 12V V(RRM), Silicon

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1SS321(SAWAF,F) 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.68
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.05 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.15 W
最大重复峰值反向电压：12 V表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

1SS321(SAWAF,F) 数据手册

 浏览型号1SS321(SAWAF,F)的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS321(SAWAF,F)的Datasheet PDF文件第3页 
1SS321  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS321  
Unit: mm  
Low Voltage High Speed Switching  
z Low forward voltage  
z Low reverse current  
z Small package  
: V = 0.42V (typ.)  
F
: I = 500nA (max)  
R
: SC-59 (SOT-23MOD)  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
12  
10  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
Power dissipation  
I
150 (*)  
50 (*)  
1000 (*)  
150  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
FM  
I
O
I
FSM  
P
JEDEC  
SOT−23MOD  
Junction temperature  
T
j
125  
EIAJ  
SC−59  
Storage temperature  
T
stg  
−55∼125  
°C  
1−3G1F  
TOSHIBA  
Weight: 0.012g  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating  
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
(*) Unit rating. Total rating = unit rating × 1.5.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
I
I
I
0.32  
0.42  
0.63  
―
―
―
―
―
―
―
F (1)  
F
F
F
Forward voltage  
V
= 10mA  
= 50mA  
―
F (2)  
V
1.00  
―
F (3)  
Reverse current  
I
V
V
= 10V  
R
―
500  
4.5  
―
―
R
nA  
pF  
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1MHz  
3.2  
―
R
Marking  
1
2007-11-01  
123

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与1SS321(SAWAF,F)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS321_07 TOSHIBA

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 		TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type
1SS321TE85L TOSHIBA

获取价格

 		暂无描述
1SS321TE85LF TOSHIBA

获取价格

 		Low-Voltage High-Speed Switching
1SS321TE85R TOSHIBA

获取价格

 		暂无描述
1SS321TE85R2 TOSHIBA

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 		DIODE 0.05 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS322 TYSEMI

获取价格

 		Low forward voltage:VF(3) = 0.54 V(Typ) Low reverse current:trr = 5A (Typ)
1SS322 KEXIN

获取价格

 		LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING
1SS322 TOSHIBA

获取价格

 		DIODE (LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)
1SS322(T5L,PP,F) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon
1SS322_07 TOSHIBA

获取价格

 		Low Voltage High Speed Switching

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