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1SS322TE85R

更新时间： 2024-11-11 14:39:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 176K
描述
DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

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1SS322TE85R 技术参数

生命周期：ActiveReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.72配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.6 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.1 W
认证状态：Not Qualified最大反向电流：5 µA
表面贴装：YES技术：SCHOTTKY
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

1SS322TE85R 数据手册

 浏览型号1SS322TE85R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS322TE85R的Datasheet PDF文件第3页 
1SS322  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS322  
Unit: mm  
Low Voltage High Speed Switching  
z Low forward voltage  
z Low reverse current  
z Small package  
: V  
= 0.54V (typ.)  
F (3)  
: I = 5μA (max)  
R
: SC−70  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
45  
40  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Power dissipation  
I
300  
mA  
mA  
mW  
°C  
FM  
I
100  
O
P
100  
Junction temperature  
T
j
125  
JEDEC  
―
Storage temperature  
T
stg  
−55∼125  
°C  
JEITA  
SC−70  
1−2P1D  
TOSHIBA  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 0.006g (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating  
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
I
I
I
0.28  
0.36  
0.54  
―
―
―
―
―
―
―
F (1)  
F
F
F
Forward voltage  
V
= 10mA  
―
F (2)  
V
= 100mA  
0.60  
―
F (3)  
Reverse current  
I
V
V
= 40V  
R
―
5
―
―
R
μA  
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1MHz  
18  
25  
―
R
pF  
Marking  
1
2007-11-01  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS335 HTSEMI

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 		ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION
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 		DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION)
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 		Small package Low forward voltage: VF3 = 0.88V(Typ). Small total capacitance:CT = 1.6pF(Ty

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