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1SS321TE85R2

更新时间： 2024-11-11 14:46:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 143K
描述
DIODE 0.05 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

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1SS321TE85R2 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.68
Is Samacsys：N配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1 VJESD-30 代码：R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流：1 A元件数量：2
端子数量：3最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.05 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.15 W认证状态：Not Qualified
最大反向电流：0.5 µA表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

1SS321TE85R2 数据手册

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1SS321  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS321  
Unit: mm  
Low-Voltage High-Speed Switching  
z Low forward voltage: V = 0.42 V (typ.)  
F
z Low reverse current: I = 500 nA (max)  
R
z Small package: SC-59  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
12  
10  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10 ms)  
Power dissipation  
I
150*  
50*  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
FM  
I
O
I
1000*  
150  
FSM  
P
JEDEC  
TO−236MOD  
Junction temperature  
T
j
125  
JEITA  
SC−59  
Storage temperature  
T
stg  
−55 to 125  
°C  
1−3G1F  
TOSHIBA  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 0.012 g (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating  
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*:  
Unit rating. Total rating = unit rating × 1.5.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= 1 mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
I
I
I
0.32  
0.42  
0.63  
―
―
―
―
―
―
―
―
F (1)  
F
F
F
Forward voltage  
V
= 10 mA  
= 50 mA  
F (2)  
V
1.00  
F (3)  
Reverse current  
I
V
V
= 10 V  
R
―
500  
4.5  
―
―
―
―
R
nA  
pF  
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1 MHz  
3.2  
R
Marking  
1
2008-11-11  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS322 TYSEMI

获取价格

 		Low forward voltage:VF(3) = 0.54 V(Typ) Low reverse current:trr = 5A (Typ)
1SS322 KEXIN

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 		LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING
1SS322 TOSHIBA

获取价格

 		DIODE (LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)
1SS322(T5L,PP,F) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon
1SS322_07 TOSHIBA

获取价格

 		Low Voltage High Speed Switching
1SS322TE85R TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS335 HTSEMI

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 		High reliability with high surge current handling capability.
1SS336 TOSHIBA

获取价格

 		DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION)
1SS336 TYSEMI

获取价格

 		Small package Low forward voltage: VF3 = 0.84 V(Typ). Small total capacitance:CT = 7pF(Typ
1SS336 KEXIN

获取价格

 		ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION

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