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1SS336TE85L2

更新时间： 2024-02-05 06:07:40
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 257K
描述
DIODE 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

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1SS336TE85L2 技术参数

生命周期：End Of Life包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.7
配置：COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.2 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3最大非重复峰值正向电流：6 A
元件数量：2端子数量：3
最高工作温度：150 °C最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.15 W
认证状态：Not Qualified最大反向电流：0.5 µA
最大反向恢复时间：0.02 µs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

1SS336TE85L2 数据手册

 浏览型号1SS336TE85L2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS336TE85L2的Datasheet PDF文件第3页 
1SS336  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS336  
Ultra High Speed Switching Application  
Unit: mm  
z Small package  
: SC-59  
: V  
z Low forward voltage  
= 0.84V (typ.)  
F (3)  
z Fast reverse recovery time: t = 7ns (typ.)  
rr  
z Small total capacitance  
: C = 7pF (typ.)  
T
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
85  
80  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
Power dissipation  
I
600 *  
200 *  
6 *  
mA  
mA  
A
FM  
I
O
I
FSM  
P
150  
mW  
°C  
°C  
Junction temperature  
T
j
150  
JEDEC  
TD-236MOD  
Storage temperature  
T
−55~150  
stg  
JEITA  
SC-59  
TOSHIBA  
1-3G1E  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 0.012g (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are  
within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
*: Unit rating. Total rating = unit rating × 1.5  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 10mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
I
I
I
―
―
―
―
―
0.64  
0.78  
0.84  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
R (1)  
R (2)  
F
F
F
Forward voltage  
―
= 100mA  
= 200mA  
―
1.2  
I
I
―
V
V
= 30V  
= 80V  
0.25  
0.50  
R
R
Reverse current  
μA  
―
―
Total capacitance  
C
―
―
V
= 0, f = 1MHz  
―
―
7
7
―
T
R
pF  
ns  
Reverse recovery time  
t
I
= 30mA, Fig.1  
F
20  
rr  
1
2007-11-01  
123

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与1SS336TE85L2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS337 TOSHIBA

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 		DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION)
1SS337 TYSEMI

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 		Small package Low forward voltage: VF3 = 0.88V(Typ). Small total capacitance:CT = 1.6pF(Ty
1SS337 KEXIN

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 		ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION
1SS337_07 TOSHIBA

获取价格

 		Ultra High Speed Switching Application
1SS337TE85L TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS337TE85R TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS337TE85R2 TOSHIBA

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 		DIODE 0.2 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS344 KEXIN

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1SS344 TOSHIBA

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 		DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION)
1SS344 HTSEMI

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 		SCHOTTKY BARRIER DIODE

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