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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.65 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1 V | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 1 A | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最大输出电流： | 0.05 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 12 V |
| 最大反向电流： | 0.5 µA | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1SS321(SAWAF,F) | TOSHIBA |
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Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.05A, 12V V(RRM), Silicon |
|
| 1SS321_07 | TOSHIBA |
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TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type |
|
| 1SS321TE85L | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 1SS321TE85LF | TOSHIBA |
获取价格 |
Low-Voltage High-Speed Switching |
|
| 1SS321TE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1SS321TE85R2 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 0.05 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| 1SS322 | TYSEMI |
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Low forward voltage:VF(3) = 0.54 V(Typ) Low reverse current:trr = 5A (Typ) |
|
| 1SS322 | KEXIN |
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LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING |
|
| 1SS322 | TOSHIBA |
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DIODE (LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING) |
|
| 1SS322(T5L,PP,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.1A, 45V V(RRM), Silicon |
|
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