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1SS319(TE85L,F)

更新时间： 2024-11-18 20:02:15
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 308K
描述
Diode Small Signal Schottky 45V 0.1A 4-Pin SMQ T/R

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1SS319(TE85L,F) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-G4Reach Compliance Code：unknown
风险等级：1.67配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.6 VJESD-30 代码：R-PDSO-G4
元件数量：2相数：1
端子数量：4最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大功率耗散：0.225 W最大重复峰值反向电压：45 V
最大反向电流：5 µA反向测试电压：40 V
子类别：Other Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

1SS319(TE85L,F) 数据手册

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1SS319  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
1SS319  
Low Voltage High Speed Switching  
Unit: mm  
Small package  
: SC-61  
: V (3) = 0.54V (typ.)  
Low forward voltage  
Low reverse current  
F
: I = 5μA (max)  
R
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
45  
40  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Power dissipation  
I
300 (*)  
100 (*)  
150 (*)  
125  
mA  
mA  
mW  
°C  
FM  
I
O
P
Junction temperature  
T
j
Storage temperature  
T
−55 to 125  
°C  
stg  
SMQ  
JEDEC  
JEITA  
―
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
SC−61  
TOSHIBA  
2−3J1A  
Weight: 0.013 g (typ.)  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
(*): Unit rating. Total rating = unit rating × 1.5.  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
I
I
I
0.28  
0.36  
0.54  
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
F
F
F
―
―
―
―
―
―
―
Forward voltage  
= 10mA  
= 100mA  
0.60  
5
Reverse current  
I
V
V
= 40V  
R
R
R
μA  
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1MHz  
18  
25  
pF  
Marking  
Start of commercial production  
1987-06  
1
2015-01-15  
123

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与1SS319(TE85L,F)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS319(TE85R,F) TOSHIBA

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 		Rectifier Diode
1SS319_07 TOSHIBA

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 		Low Voltage High Speed Switching
1SS319TE85L TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 0.1 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS319TE85R TOSHIBA

获取价格

 		DIODE 0.1 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS321 TYSEMI

获取价格

 		Low forward voltage: VF = 0.42 V(Typ) Low reverse current: IR =500 nA(Max)
1SS321 KEXIN

获取价格

 		LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING
1SS321 SEMTECH

获取价格

 		SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE
1SS321 TOSHIBA

获取价格

 		DIODE (LOW VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING)
1SS321 SWST

获取价格

 		肖特基二极管
1SS321(SAWAF,F) TOSHIBA

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.05A, 12V V(RRM), Silicon

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