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1SS193

更新时间： 2024-02-12 05:58:21

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金誉半导体 - HTSEMI		/
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2页	339K
描述
Low forward voltage : VF(3)=0.9V(typ.)

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1SS193 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.14	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

1SS193 数据手册

1SS193

SOT-23

FEATURES

Low forward voltage

: V_F(3)=0.9V(typ.)

Fast reverse recovery time : trr=1.6ns(typ.)

1. ANODE

MARKING: F3

2. N.C.

3. CATHODE

Maximum Ratings @T_A=25℃

Parameter

Symbol

Limits

Unit

Non-Repetitive Peak reverse voltage

V_RM

V_R

DC Blocking

Voltage

300

Forward Continuous Current

Average Rectified Output Current

Power Dissipation

I_FM

I_O

℃

100

150

P_D

125

Junction temperature

T_J

-55-125

Storage temperature range

T_STG

℃

Electrical Characteristics @T_A=25℃

Parameter

Symbol

V _(BR)R

V_F1

Min.

Typ.

Max. Unit

Conditions

Reverse Breakdown Voltage

I_R=100μA

0.60

I_F=1mA

Forward voltage

Reverse current

V_F2

V_F3

I_R1

0.72

0.90

I_F=10mA

I_F=100mA

V_R=30V

1.2

0.1

0.5

3.0

I_R2

C_T

t _{r r}

V_R=80V

Capacitance between terminals

Reverse recovery time

0.9

1.6

V_R=0,f=1MHz

I_F=I_R=10mA,I_rr=0.1×I_R

4.0

JinYu

semiconductor

www.htsemi.com

Date:2011/05

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