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1SS196

更新时间： 2024-01-05 16:42:35

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2页	135K
描述
SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

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1SS196 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.67	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.15 W
最大重复峰值反向电压：	80 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

1SS196 数据手册

1SS196

SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE

Features

• Small package

• Low forward voltage

• Fast reverse recovery time

• Small total capacitance

Marking Code: FD

SOT-23 Plastic Package

Applications

• Ultra high speed switching application

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25 C)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Maximum Peak Reverse Voltage

Reverse Voltage

V_RM

V_R

I_O

Average Forward Current

Maximum Peak Forward Current

Surge Current (10 ms)

100

I_FM

I_FSM

P_tot

T_j

300

150

Power Dissipation

Junction Temperature

150

Storage Temperature Range

T_s

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25 C

Parameter

Symbol

V_F

Max.

1.2

Unit

Forward Voltage

at I_F= 100 mA

Reverse Current

at V_R= 80 V

I_R

C_T

t_rr

0.5

µA

Total Capacitance

at V_R= 0 , f = 1 MHz

Reverse Recovery Time

at I_F= 10 mA

SEMTECH ELECTRONICS LTD.

(Subsidiary of Sino-Tech International Holdings Limited, a company

listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)

Dated : 22/01/2008

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与1SS196相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1SS196(TE85L,F)	TOSHIBA	RECTIFIER DIODE,85V V(RRM),SOT-23	获取价格
1SS196_07	TOSHIBA	Ultra High Speed Switching Application	获取价格
1SS196_13	MCC	150mW Switching Diodes	获取价格
1SS196-T	RECTRON	暂无描述	获取价格
1SS196TE85R2	TOSHIBA	DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode	获取价格
1SS196-TP	MCC	Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3	获取价格