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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.60 |
| 风险等级： | 5.37 | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 最大二极管电容： | 1.5 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | MIXER DIODE | JEDEC-95代码： | DO-34 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | TIN COPPER | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1SS198TAX | RENESAS |
获取价格 |
SILICON, MIXER DIODE, DO-34 |
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| 1SS198TD | HITACHI |
获取价格 |
Mixer Diode, Silicon, DO-34 |
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| 1SS198TD | RENESAS |
获取价格 |
SILICON, MIXER DIODE, DO-34 |
|
| 1SS198TDX | HITACHI |
获取价格 |
Mixer Diode, Silicon, DO-34 |
|
| 1SS198TDX | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
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| 1SS198TJ | HITACHI |
获取价格 |
Mixer Diode, Silicon |
|
| 1SS199 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching |
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| 1SS199 | EIC |
获取价格 |
Schottky Barrier Rectifiers |
|
| 1SS199MHD | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching |
|
| 1SS199RX | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
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