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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | O-LALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.60 | 风险等级： | 5.27 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 最大二极管电容： | 1.5 pF |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | MIXER DIODE |
| JEDEC-95代码： | DO-34 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1SS198TD | HITACHI |
获取价格 |
Mixer Diode, Silicon, DO-34 |
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| 1SS198TD | RENESAS |
获取价格 |
SILICON, MIXER DIODE, DO-34 |
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| 1SS198TDX | HITACHI |
获取价格 |
Mixer Diode, Silicon, DO-34 |
|
| 1SS198TDX | RENESAS |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1SS198TJ | HITACHI |
获取价格 |
Mixer Diode, Silicon |
|
| 1SS199 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching |
|
| 1SS199 | EIC |
获取价格 |
Schottky Barrier Rectifiers |
|
| 1SS199MHD | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching |
|
| 1SS199RX | HITACHI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1SS199TA | HITACHI |
获取价格 |
Mixer Diode, Silicon, DO-34 |
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