5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 1SS196TE85R2
1SS196TE85R2 PDF预览

1SS196TE85R2

更新时间： 2024-11-21 19:59:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 167K
描述
DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

1SS196TE85R2 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.67
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.2 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3最大非重复峰值正向电流：2 A
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.15 W
认证状态：Not Qualified最大反向电流：0.5 µA
最大反向恢复时间：0.004 µs表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

1SS196TE85R2 数据手册

 浏览型号1SS196TE85R2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS196TE85R2的Datasheet PDF文件第3页 
1SS196  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS196  
Unit: mm  
Ultra High-Speed Switching Applications  
z Small package: SC-59  
z Low forward voltage: V  
= 0.9 V (typ.)  
F (3)  
z Fast reverse recovery time: t = 1.6 ns (typ.)  
rr  
z Small total capacitance: C = 0.9 pF (typ.)  
T
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
85  
80  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
I
300  
mA  
mA  
A
FM  
I
100  
O
I
2
FSM  
P
Power dissipation  
150  
mW  
°C  
°C  
Junction temperature  
T
j
125  
JEDEC  
TO-236MOD  
Storage temperature range  
T
−55 to 125  
stg  
JEITA  
SC-59  
TOSHIBA  
1-3G1A  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 0.012 g (typ.)  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating  
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= 1 mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
I
I
I
―
―
―
―
―
―
―
0.60  
0.72  
0.90  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
R (1)  
R (2)  
F
F
F
Forward voltage  
―
= 10 mA  
―
= 100 mA  
1.20  
0.1  
0.5  
3.0  
4.0  
I
I
―
V
V
V
= 30 V  
R
R
R
Reverse current  
μA  
―
= 80 V  
―
Total capacitance  
C
T
―
= 0, f = 1 MHz  
0.9  
1.6  
pF  
ns  
Reverse recovery time  
t
―
I = 10 mA (Fig.1)  
F
rr  
Marking  
1
2008-11-11  
123

中文翻译

下载PDF

与1SS196TE85R2相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS196-TP MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
1SS196-TP-HF MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 80V V(RRM), Silicon, HALOGEN AND LEAD FREE, PLASTIC PACK
1SS198 RENESAS

获取价格

 		Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching
1SS198 HITACHI

获取价格

 		Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching
1SS198 EIC

获取价格

 		Schottky Barrier Rectifiers
1SS198RY RENESAS

获取价格

 		暂无描述
1SS198TA RENESAS

获取价格

 		Mixer Diode, Silicon, DO-34
1SS198TAX RENESAS

获取价格

 		SILICON, MIXER DIODE, DO-34
1SS198TD HITACHI

获取价格

 		Mixer Diode, Silicon, DO-34
1SS198TD RENESAS

获取价格

 		SILICON, MIXER DIODE, DO-34

与1SS196TE85R2相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证