1SS196-TP-HF

更新时间： 2024-02-21 10:53:29

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美微科 - MCC		二极管开关
页数	文件大小	规格书
3页	523K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 80V V(RRM), Silicon, HALOGEN AND LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3

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技术参数
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1SS196-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.67	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.15 W
最大重复峰值反向电压：	80 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

1SS196-TP-HF 数据手册

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

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Micro Commercial Components

1SS196

Features

•

Low Leakage Current

Surface Mount SOT-23 Package

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

Marking Code : G3

150mW

Switching Diodes

SOT-23

Maximum Ratings

Reverse Voltage

Forward Current

V_R

I_F

P_D

T_stg

80V

100mA

Power Dissipation @ T_A=25^OC

Storage Temperature Range

Junction Temperature

150mW

-55^OC to +150^OC

150^OC

Electrical Characteristics @ 25^OC Unless Otherwise Specified

DIMENSIONS

Reverse Voltage

V_R

80V

INCHES

DIM

MIN

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

MAX

.120

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

.100

1.12

.180

.51

NOTE

Minimum Reverse

Breakdown Voltage

V_(BR)

80V

I_R=100uA

T_A= 25^OC

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

Maximum Forward

Voltage

MaximumReverse

Voltage Leakage

Current

V_F

I_R

1.2V

I_F= 100mA;

0.5uA

V_R=80Volts

T_A= 25^OC

.085

.37

Suggested Solder

Pad Layout

.031

.800

Maximum Diode

Capacitance

C_D

t_rr

3.0pF

4.0ns

Measured at

f=1.0MHz,

V_R=0

.035

.900

Maximum Reverse

Recovery Time

.079

2.000

inches

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

Revision: A

2011/01/01

1 of 3

12 3

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