是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 5.67 | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
最大输出电流: | 0.1 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 最大功率耗散: | 0.15 W |
最大重复峰值反向电压: | 80 V | 最大反向恢复时间: | 0.004 µs |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 10 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1SS198 | RENESAS |
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Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching | |
1SS198 | HITACHI |
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Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching | |
1SS198 | EIC |
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Schottky Barrier Rectifiers | |
1SS198RY | RENESAS |
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暂无描述 | |
1SS198TA | RENESAS |
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Mixer Diode, Silicon, DO-34 | |
1SS198TAX | RENESAS |
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SILICON, MIXER DIODE, DO-34 | |
1SS198TD | HITACHI |
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Mixer Diode, Silicon, DO-34 | |
1SS198TD | RENESAS |
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SILICON, MIXER DIODE, DO-34 | |
1SS198TDX | HITACHI |
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Mixer Diode, Silicon, DO-34 | |
1SS198TDX | RENESAS |
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暂无描述 |