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1SS196(TE85L,F)

更新时间： 2024-11-18 14:46:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 315K
描述
RECTIFIER DIODE,85V V(RRM),SOT-23

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1SS196(TE85L,F) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：1.72
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.2 V最大非重复峰值正向电流：2 A
元件数量：1最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.1 A最大重复峰值反向电压：85 V
最大反向恢复时间：0.004 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YESBase Number Matches：1

1SS196(TE85L,F) 数据手册

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1SS196  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS196  
Unit: mm  
Ultra High-Speed Switching Applications  
AEC-Q101 Qualified (Note1)  
Small package: SC-59  
Low forward voltage: V  
= 0.90 V (typ.)  
F (3)  
Fast reverse recovery time: t = 1.6 ns (typ.)  
rr  
Small total capacitance: C = 0.9 pF (typ.)  
T
Note1: For detail information, please contact to our sales.  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
85  
80  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
I
300  
mA  
mA  
A
FM  
I
100  
O
I
2
FSM  
Power dissipation  
P
150  
mW  
°C  
°C  
JEDEC  
TO-236MOD  
JEITA  
SC-59  
Junction temperature  
T
j
125  
TOSHIBA  
2-3F1S  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 125  
Weight: 12 mg (typ.)  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to  
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Test Condition  
= 1 mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
I
I
I
―
―
―
―
―
―
―
0.60  
0.72  
0.90  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
R (1)  
R (2)  
F
F
F
Forward voltage  
= 10 mA  
= 100 mA  
1.20  
0.1  
0.5  
3.0  
4.0  
I
I
V
V
V
= 30 V  
R
R
R
Reverse current  
μA  
= 80 V  
―
Total capacitance  
C
T
= 0 V, f = 1 MHz  
0.9  
1.6  
pF  
ns  
Reverse recovery time  
t
I
= 10 mA (Fig.1)  
F
rr  
Start of commercial production  
1982-05  
1
207-11-02  
1234

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1SS196(TE85L,F) 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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