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1SS196

更新时间： 2024-02-17 18:30:32

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2页	85K
描述
SOT-23 Plastic-Encapsulate DIODE

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1SS196 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.67	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.15 W
最大重复峰值反向电压：	80 V	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
Base Number Matches：	1

1SS196 数据手册

RoHS

1SS196 SWITCHING DIODE

SOT-23 Plastic-Encapsulate DIODE

Features

SOT-23

Power dissipation

P_D: 150 mW (Tamb=25^oC)

Forward Current

I_F: 100 mA

Reverse Voltage

V_R: 80V

Operating and storage junction temperature range

T_j, T_stg: -55^oC to +150^oC

2.4

1.3

Unit:mm

Marking:G3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(Ta=25^oC unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test Condition

MIN. MAX. Unit

Reverse breakdown voltage

V(BR)

IR=100 A

Reverse Voltage leakage current

VR=80V

0.5

1.2

Forward Voltage

IF=100mA

VR=0V f=1MHz

Diode Capacitance

Reverse Recovery Time

tot

IF=IR=10mA

Irr=0.1IR

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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