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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT-23 |
| 包装说明： | R-PDSO-G3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.47 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 2 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最大输出电流： | 0.1 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 最大功率耗散： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 85 V |
| 最大反向电流： | 0.5 µA | 最大反向恢复时间： | 0.004 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1SS196(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
RECTIFIER DIODE,85V V(RRM),SOT-23 |
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| 1SS196_07 | TOSHIBA |
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Ultra High Speed Switching Application |
|
| 1SS196_13 | MCC |
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150mW Switching Diodes |
|
| 1SS196-T | RECTRON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| 1SS196TE85R2 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
|
| 1SS196-TP | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, Silicon, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
| 1SS196-TP-HF | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.1A, 80V V(RRM), Silicon, HALOGEN AND LEAD FREE, PLASTIC PACK |
|
| 1SS198 | RENESAS |
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Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching |
|
| 1SS198 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching |
|
| 1SS198 | EIC |
获取价格 |
Schottky Barrier Rectifiers |
|
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