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1SS190TE85L

更新时间： 2024-11-01 14:46:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 191K
描述
DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

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1SS190TE85L 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：5.73
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.2 V
JESD-30 代码：R-PDSO-G3最大非重复峰值正向电流：2 A
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最大输出电流：0.1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：0.15 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：85 V
最大反向电流：0.5 µA最大反向恢复时间：0.004 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

1SS190TE85L 数据手册

 浏览型号1SS190TE85L的Datasheet PDF文件第2页浏览型号1SS190TE85L的Datasheet PDF文件第3页 
1SS190  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Planar Type  
1SS190  
Unit: mm  
Ultra High Speed Switching Application  
z Small package  
: SC-59  
: V  
z Low forward voltage  
= 0.92V (typ.)  
F (3)  
z Fast reverse recovery time: t = 1.6ns (typ.)  
rr  
z Small total capacitance  
: C = 2.2pF (typ.)  
T
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Maximum (peak) reverse voltage  
Reverse voltage  
V
85  
80  
V
V
RM  
V
R
Maximum (peak) forward current  
Average forward current  
Surge current (10ms)  
I
300  
mA  
mA  
A
FM  
I
100  
O
I
2
FSM  
P
Power dissipation  
150  
mW  
°C  
°C  
JEDEC  
-
Junction temperature  
T
j
125  
JEITA  
SC-59  
Storage temperature range  
T
−55~125  
stg  
1-3G1C  
TOSHIBA  
Weight: 0.012g (typ.)  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating  
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 1mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
―
―
―
―
―
―
I
I
I
―
―
―
―
―
―
―
0.61  
0.74  
0.92  
―
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
R (1)  
R (2)  
F
F
F
Forward voltage  
= 10mA  
= 100mA  
1.20  
0.1  
0.5  
4.0  
4.0  
I
I
V
V
V
= 30V  
R
R
R
Reverse current  
μA  
= 80V  
―
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1MH  
2.2  
1.6  
pF  
ns  
z
Reverse recovery time  
t
I = 10mA (Fig.1)  
F
rr  
Marking  
1
2007-11-01  
123

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与1SS190TE85L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
1SS190TE85L2 TOSHIBA

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 		DIODE 0.1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
1SS190TE85R2 TOSHIBA

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 		暂无描述
1SS193 WEITRON

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 		Surface Mount Switching Diodes 100m AMPERES 80 VOLTS
1SS193 TOSHIBA

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 		DIODE (ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION)
1SS193 RECTRON

获取价格

 		SOT-23 SWITCHING DIODE
1SS193 TGS

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 		SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes
1SS193 HTSEMI

获取价格

 		Low forward voltage : VF(3)=0.9V(typ.)
1SS193 KEXIN

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 		ULTRA HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION
1SS193 TYSEMI

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 		Small Package Low forward voltage :VF(3) = 0.9 V(Typ.) Small Total Capacitance :CT = 0.9pF
1SS193 KISEMICONDUCTOR

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 		SOT-23 Plastic-Encapsulate Diodes

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