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1SS193

更新时间： 2024-01-12 03:04:57

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1页	58K
描述
Small Package Low forward voltage :VF(3) = 0.9 V(Typ.) Small Total Capacitance :CT = 0.9pF(Typ.)

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1SS193 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.70
风险等级：	5.14	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大功率耗散：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.004 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	Base Number Matches：	1

1SS193 数据手册

Product specification

1SS193

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

0.4

+0.1

-0.1

Features

Small Package

Low forward voltage :V^F(3)= 0.9 V(Typ.)

Fast Reverse Recovery Time :trr = 1.6 ns(Typ.)

Small Total Capacitance :C^T= 0.9pF(Typ.)

+0.1

0.95

-0.1

+0.05

-0.01

0.1

+0.1

-0.1

1.9

1.Base

2.Emitter

3.collector

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Peak Reverse Voltage

DC Reverse Voltage

Symbol

V^RM

V^R

Rating

Unit

Peak Reverse Voltage

Average Rectified Current

Surge Current (10 ms)

DC Forward Current

I^FM

300

I^O

100

I^FSM

150

Junction Temperature

Storage Temperature Range

T^j

125

T^stg

-55 to + 125

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Test Conditions

Min

Typ

0.6

Max

Unit

I^F= 1.0 mA

I^F= 10 mA

Continuous reverse voltage

V^F

0.72

0.9

I^F= 100 mA

V^R= 30 V

1.2

0.1

0.5

3.0

4.0

Reverse current

I^R

VR = 80 V

Total capacitance

C^T

t^rr

V^R= 0, f = 1.0 MHz

I^F= 10 mA

0.9

1.6

Reverse recovery time

Marking

http://www.twtysemi.com

1 of 1

sales@twtysemi.com

4008-318-123

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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