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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-LELF-R2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | Factory Lead Time： | 25 weeks |
| 风险等级： | 5.18 | 应用： | SUPER FAST SOFT RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.875 V | JESD-30 代码： | O-LELF-R2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 35 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最大输出电流： | 2.5 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 50 V | 最大反向恢复时间： | 0.02 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5802US_09 | MICROSEMI |
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SURFACE MOUNT VOIDLESSHERMETICALLY-SEALED ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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| 1N5802USE3 | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC S |
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| 1N5802X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, Silicon |
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| 1N5803 | NJSEMI |
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HIGH EFFICIENCY, ESP,K 2.5 AMP TO 20 AMP |
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| 1N5803 | MICROSEMI |
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RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
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| 1N5803 | EIC |
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Glass Passivated Rectifiers |
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| 1N5803HR-PBF | DIGITRON |
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Rectifier Diode |
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| 1N5803R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, |
|
| 1N5803US | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
|
| 1N5803US | EIC |
获取价格 |
Fast / Super Fast Recovery Rectifiers |
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