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1N5802US

更新时间： 2024-02-08 15:28:37

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描述
Superfast Recovery Diodes Surface Mount (US)

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1N5802US 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.2
Is Samacsys：	N	应用：	FAST RECOVERY
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.875 V	JESD-30 代码：	O-MELF-R2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	35 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最大输出电流：	2.5 A	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	3 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	50 V
最大反向恢复时间：	0.025 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N5802US 数据手册

1N5802US/1N5804US/1N5806US

Superfast Recovery Diodes

Surface Mount (US)

POWER DISCRETES

Description

Features

Quick reference data

Very low reverse recovery time

Hermetically sealed non-cavity construction

Soft, non-snap, off recovery characteristics

Very low forward voltage drop

V_R50 -150 V

I_F1N5802US to 1N5806US = 2.5A

t_rr1N5802US to 1N5806US = 25nS

I_R1N5802US to 1N5806US = 1µA

These products are qualified to MIL-PRF-19500/477

and are preferred parts as listed in MIL-HDBK-5961.

They can be supplied fully released as JANTX and

JANTXV versions.

Electrical Specifications

Electrical specifications @ T_A= 25°C unless otherwise specified.

Symbol

1N5802US

1N5804US

1N5806US

Units

Working Reverse Voltage

Repetitive Reverse Voltage

V_RWM

V_RRM

100

150

Average Forward Current

I_F(AV)

I_FRM

2.5

(@ 75°C lead length = 0.375')

Repetitive Surge Current

(@ 55°C lead length = 0.375')

Non-Repetitive Surge Current

I_FSM

(tp = 8.3mS @ Vr & T_JMAX

)

Storage Temperature Range

T_STG

-65 to +175

°C

Average Forward Current Max

(pcb mounted: T_A= 55°C)

Sine wave

I_F(AV)

I²t

1.0

1.1

A²S

Square wave (d = 0.5)

I²t for fusing (t = 8.3mS) max

Forward Voltage Drop max

@ T_J= 25°C

V_F

0.875 @ 1A

Reverse Current max

@ V , T = 25°C

@ V_W^W_R^RM_M, T_J^J= 100°C

1.0

I^R_R

µA

Reverse Recovery Time max

(1.0A I_Fto 1.0A I_RMrecover to 0.25A I_RM(REC)

)

trr

C_J

Junction Capacitance typ

@ V_R= 5V f = 1MHz

Thermal Resistance to end cap

R_θJEC

°C/W

Revision: May 26, 2006

www.semtech.com

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