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1N5804US

更新时间： 2024-01-06 23:22:34

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描述
Ultrafast Recovery Rectifier

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1N5804US 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MELF
包装说明：	E-LELF-R2	针数：	2
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.18	其他特性：	METALLURGICALLY BONDED
应用：	ULTRA FAST RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.875 V
JESD-30 代码：	E-LELF-R2	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值正向电流：	35 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	2.5 A
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ELLIPTICAL
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	100 V
最大反向恢复时间：	0.025 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WRAP AROUND	端子位置：	END
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N5804US 数据手册

1N5802,US thru 1N5806,US

SENSITRON

SEMICONDUCTOR

TECHNICAL DATA

DATA SHEET 158, REV. F

Ultrafast Recovery Rectifier

• Hermetic, non-cavity glass package

• Metallurgically bonded

• Operating and Storage Temperature: -65^oC to +175^o

MAX. RATINGS / ELECTRICAL CHARACTERISTICS All ratings are at T_A= 25^oC unless otherwise specified.

Rating

Symbol

Condition

Max

Units

WORKING PEAK REVERSE VOLTAGE

1N5802, US

100

150

V_WM

Volts

1N5804, US

1N5806, US

AVERAGE RECTIFIED FORWARD CURRENT

PEAK FORWARD SURGE CURRENT

I_o

T_L= 75 ^oC

T_p=8.3ms

2.5

Amps

A(pk)

I_FSM

MAXIMUM REVERSE CURRENT

I_R@ V_RWM

T_j= 25 ^oC

1.0

μAmps

I_R@ V_RWM

T_j= 150 ^oC

I_FM=1.0A

175

MAX. PEAK FORWARD VOLTAGE (PULSED)

0.875

0.975

V_FM

Volts

_FM=2.5A

300 μsec pulse, duty cycle < 2%

I_F=I_RM=0.5A

_REC=0.05A

MAXIMUM REVERSE RECOVERY TIME

T_rr

I_F=250mA

t_r=12ns

FORWARD RECOVERY VOLTAGE

V_FRM

Volts

2.2

THERMAL RESISTANCE (Axial)

1N5802 thru 1N5806

L=.375

L=0

^oC/W

Rθ_JL

Rθ_JC

THERMAL RESISTANCE (MELF)

1N5802US thru 1N5806US

• 221 West Industry Court ꢀ Deer Park, NY 11729-4681 ꢀ Phone (631) 586 7600 Fax (631) 242 9798 •

• World Wide Web Site - http://www.sensitron.com • E-Mail Address - sales@sensitron.com •

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与1N5804US相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
1N5804USE3	MICROSEMI	Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC	获取价格
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