是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMA, 2 PIN | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.29 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 配置: | SINGLE |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JEDEC-95代码: | DO-214AC | JESD-30 代码: | R-PDSO-C2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
最大输出电流: | 1 A | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 最大重复峰值反向电压: | 125 V |
最大反向恢复时间: | 0.025 µs | 表面贴装: | YES |
端子形式: | C BEND | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
1N5805X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, | |
1N5806 | NJSEMI |
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HIGH EFFICIENCY, ESP,K 2.5 AMP TO 20 AMP | |
1N5806 | SEMTECH |
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RECTIFIER, up to 150V, 2.5A, 25ns | |
1N5806 | MICROSEMI |
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2.5 AMPS FAST RECOVERY RECTIFIER CHIP 50 - 150 VOLTS | |
1N5806 | SENSITRON |
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HERMETIC AXIAL / MELF LEAD RECTIFIER | |
1N5806 | EIC |
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Glass Passivated Rectifiers | |
1N5806CSM4 | SEME-LAB |
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HIGH EFFICIENCY POWER RECTIFIER IN A CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE | |
1N5806D2A | SEME-LAB |
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ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER DIODE | |
1N5806D2B | SEME-LAB |
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ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER DIODE | |
1N5806R | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, |