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1N5803X

更新时间: 2024-11-15 19:45:59
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 254K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon,

1N5803X 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.69
应用:FAST RECOVERY外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-LALF-W2
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:35 A
元件数量:1相数:1
端子数量:2最大输出电流:2.5 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大反向恢复时间:0.025 µs表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:AXIALBase Number Matches:1

1N5803X 数据手册

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