1N5804-TR

更新时间： 2024-09-25 12:59:31

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美高森美 - MICROSEMI		快速恢复二极管
页数	文件大小	规格书
3页	49K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, GLASS, A, 2 PIN

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1N5804-TR 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	O-GALF-W2
针数：	2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.2	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-GALF-W2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

1N5804-TR 数据手册

7516 Central Industrial Drive

Riviera Beach, Florida

33404

PHONE: (561) 842-0305

FAX: (561) 845-7813

1N5802

1N5804

1N5806

JANHCE and JANKCE

JANHCF and JANKCF

FEATURES:

Chip Outline Dimensions: 41 x 41 mils

Chip Thickness: 8 to 12 mils

Anode Metallization: Aluminum

Metallization Thickness: 50,000Ã Nominal

Bonding Area: 23 x 23 mils Min.

Back Metallization: Gold

2.5 AMPS

FAST RECOVERY

RECTIFIER CHIP

50 - 150 VOLTS

Junction Passivated with Thermal Silicon Dioxide - Planar Design

Backside Available with Solderable Ag Backside as JANHCF or

JANKCF

Chip Type: RH

TYPE

V_R

V_BR

I_OTj = 75°C

JANHCE1N5802

JANHCE1N5804

JANHCE1N5806

JANKCE1N5802

JANKCE1N5804

JANKCE1N5806

50V

100V

150V

50V

100V

150V

60V

110V

160V

60V

110V

160V

2.5A

ELECTRICAL CHARACTERISTICS:

CHARACTERISTIC

SYMBOL

TYPICAL

MAX.

UNITS

Reverse Current

Rated V , T = 25°C

.01

Reverse Current

Rated V , T = 100°C

1.0

.80

.875

Volts

Forward Voltage Drop I = 1A, T = 25°C

Junction Capacitance @ V = 10V

REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS:

CHARACTERISTIC

SYMBOL

TYPICAL

MAX.

UNITS

Reverse Recovery Time

I = 0.5A, I = 0.5A, I = 0.05A

Trr

Vrr

2.2

Forward Recovery Voltage @ 1A Trr = 8ns

Forward Recovery Time

1.5

= 250 mA

MSC1344.PDF 02-23-99

12 3

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