是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | MELF |
包装说明: | E-LELF-R2 | 针数: | 2 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.10.00.80 |
风险等级: | 5.18 | 其他特性: | METALLURGICALLY BONDED |
应用: | ULTRA FAST RECOVERY | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF): | 0.875 V |
JESD-30 代码: | E-LELF-R2 | JESD-609代码: | e0 |
湿度敏感等级: | 1 | 最大非重复峰值正向电流: | 35 A |
元件数量: | 1 | 相数: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 175 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 2.5 A |
封装主体材料: | GLASS | 封装形状: | ELLIPTICAL |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 100 V |
最大反向恢复时间: | 0.025 µs | 子类别: | Rectifier Diodes |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | WRAP AROUND | 端子位置: | END |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
1N5804USE3 | MICROSEMI | Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC |
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1N5805 | NJSEMI | HIGH EFFICIENCY, ESP,K 2.5 AMP TO 20 AMP |
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1N5805 | MICROSEMI | RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
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1N5805 | EIC | Glass Passivated Rectifiers |
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1N5805HR | DIGITRON | Rectifier Diode |
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1N5805HR-PBF | DIGITRON | Rectifier Diode |
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