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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS, A, MELF-2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.2 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.875 V |
| JESD-30 代码： | O-LELF-R2 | JESD-609代码： | e3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 35 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 1 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 最大重复峰值反向电压： | 50 V | 最大反向恢复时间： | 0.025 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 技术： | AVALANCHE | 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 1N5802X | MICROSEMI |
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Rectifier Diode, 1 Element, Silicon |
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| 1N5803 | NJSEMI |
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HIGH EFFICIENCY, ESP,K 2.5 AMP TO 20 AMP |
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| 1N5803 | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
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| 1N5803 | EIC |
获取价格 |
Glass Passivated Rectifiers |
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| 1N5803HR-PBF | DIGITRON |
获取价格 |
Rectifier Diode |
|
| 1N5803R | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, |
|
| 1N5803US | MICROSEMI |
获取价格 |
RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
|
| 1N5803US | EIC |
获取价格 |
Fast / Super Fast Recovery Rectifiers |
|
| 1N5803X | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2.5A, Silicon, |
|
| 1N5804 | SENSITRON |
获取价格 |
Ultrafast Recovery Rectifier |
|
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