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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.2 |
| Is Samacsys： | N | 应用： | FAST RECOVERY |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.875 V | JESD-30 代码： | O-MELF-R2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 35 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 2.5 A | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 最大功率耗散： | 3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 50 V |
| 最大反向恢复时间： | 0.025 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WRAP AROUND | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 1N5802US_09 | MICROSEMI | SURFACE MOUNT VOIDLESSHERMETICALLY-SEALED ULTRA FAST RECOVERY GLASS RECTIFIERS |
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| 1N5802USE3 | MICROSEMI | Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, HERMETIC S |
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| 1N5802X | MICROSEMI | Rectifier Diode, 1 Element, Silicon |
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|
| 1N5803 | NJSEMI | HIGH EFFICIENCY, ESP,K 2.5 AMP TO 20 AMP |
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| 1N5803 | MICROSEMI | RECTIFIERS HIGH EFFICIENCY, ESP, 2.5 AMP TO 20 AMP |
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|
| 1N5803 | EIC | Glass Passivated Rectifiers |
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